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逆变电\开关管采用4个绝~栅双极晶体构成的推挽电\。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的开通和x受栅极控Ӟ寚w动电路有较ؓ严格的要求,驱动电\性能的优劣是逆变电\能否可靠工作的前提。逆变电\整Ş电\如图2所C。需要注意的是,因ؓ整流期间器g都是工作在高频下Q所以器仉采用能够高速响应的产品。如果不能高速响应就会控制波Ş的变形,从而造成器gq热Ҏ烧毁。脉冲控制芯片生的三角波经q非门变成方波加在D触发器的CLK端,ҎL通过非门仍ؓҎLQ但ҎL较L形整齐。而从单片来的d压器控制信号分别加到两个D触发器的D端,如图2所C。D触发器信号在CLK上升沿时变化Q分别输Zl四只方波。脉冲控制芯?脚的Vx是从hq流保护信号攑֤电\即稳弧电路,其可以通过Vx的变化改变脉冲控制芯片方波的怽Q即表现为由两个D触发器生两l有怽差的ҎLQ从而后面控制4个两两串联的IGBT的控制信号也有相位差?/p>
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